LPDDR5X-PIM ‘넥스트젠 메모리’
삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 차세대 낸드플래시와 인공지능(AI) 메모리 기술 부문에서 수상했다.
삼성전자는 FMS 2026 첫날 열린 ‘FMS 어워드’에서 ‘V10 BV-낸드’로 ‘3D & 낸드 이노베이션 어워드’를, ‘LPDDR5X-PIM’으로 ‘넥스트젠 메모리 어워드’를 각각 수상했다고 6일 밝혔다. 삼성전자는 이번 수상을 계기로 AI 시대를 겨냥한 차세대 낸드와 저전력 AI 메모리 분야의 기술 리더십을 더욱 강화하겠다는 방침이다.
V10(10세대) BV(본딩 버티컬)-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 AI 확산으로 급증하는 데이터 저장 수요에 대응할 핵심 기술로 꼽힌다. 특히 삼성전자는 두 장 이상의 웨이퍼를 수직으로 붙이는 ‘웨이퍼 본딩 기술’과 셀을 3개의 스택으로 나눠 제조한 뒤 수직으로 쌓는 ‘3 스택 기술’을 적용했다.
기존에는 메모리 셀과 주변 회로를 하나의 웨이퍼에서 함께 제조했다면 이번 V10 BV-낸드는 각각 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 정밀하게 접합하는 방식을 택했다.
그 결과 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장하는 동시에 전력 소비와 발열을 줄여 제품 성능과 데이터센터 운영 효율을 높였다. FMS는 이 같은 기술적 혁신성을 높이 평가해 V10 BV-낸드를 3D & 낸드 이노베이션 어워드 수상작으로 선정했다.
넥스트젠 메모리 어워드를 받은 LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 ‘PIM(프로세싱-인-메모리)’ 기술을 적용한 차세대 메모리다.
PIM은 이른바 ‘뇌’를 닮은 메모리로, 메모리 내부에 연산 기능을 탑재해 데이터를 프로세서로 이동하지 않고 간단한 연산은 직접 처리할 수 있다. LPDDR5X-PIM은 메모리에서 데이터를 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서에 전달해 시스템 내부의 데이터 이동을 최소화한다. 프로세서와 메모리 사이 반복적으로 발생하는 데이터 이동은 줄이고, AI 연산 성능과 전력 효율은 동시에 높이면서 대규모 AI 모델을 구동할 때 발생하는 데이터 병목 현상을 완화할 수 있는 차세대 메모리다.
LPDDR5X-PIM은 AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등 높은 연산 성능과 낮은 전력 소비가 동시에 요구되는 분야에서 활용될 것으로 기대된다.
앞서 삼성전자는 FMS 2026에서 D램과 낸드플래시를 모두 수직으로 쌓아올리는 3차원(3D) 방식을 적용한 ‘zHBM’과 ‘z낸드-O’ 모형을 업계 최초로 공개하기도 했다. 박지영 기자
