V10 BV-낸드로 ‘3D & 낸드 이노베이션 어워드’
초고적층·저전력 구현
LPDDR5X-PIM로 ‘넥스트젠 메모리 어워드’
AI 데이터 병목 줄여
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| V10 BV-낸드로 FMS 2026에서 3D & NAND 이노베이션 어워드를 수상한 이진엽 플래시 개발실 부사장 [삼성전자 제공] |
[헤럴드경제=박지영 기자] 삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 차세대 낸드플래시와 인공지능(AI) 메모리 기술 부문에서 수상했다.
삼성전자는 FMS 2026 첫날 열린 ‘FMS 어워드’에서 ‘V10 BV-낸드’로 ‘3D & 낸드 이노베이션 어워드’를, ‘LPDDR5X-PIM’으로 ‘넥스트젠 메모리 어워드’를 각각 수상했다고 6일 밝혔다.
삼성전자는 이번 수상을 계기로 AI 시대를 겨냥한 차세대 낸드와 저전력 AI 메모리 분야의 기술 리더십을 더욱 강화하겠다는 방침이다.
V10(10세대) BV(본딩 버티컬)-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 AI 확산으로 급증하는 데이터 저장 수요에 대응할 핵심 기술로 꼽힌다.
특히 삼성전자는 두 장 이상의 웨이퍼를 수직으로 붙이는 ‘웨이퍼 본딩 기술’과 셀을 3개의 스택으로 나눠 제조한 뒤 수직으로 쌓는 ‘3 스택 기술’을 적용했다.
기존에는 메모리 셀과 주변 회로를 하나의 웨이퍼에서 함께 제조했다면 이번 V10 BV-낸드는 각각 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 정밀하게 접합하는 방식을 택했다.
그 결과 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장하는 동시에 전력 소비와 발열을 줄여 제품 성능과 데이터센터 운영 효율을 높였다. FMS는 이 같은 기술적 혁신성을 높이 평가해 V10 BV-낸드를 3D & 낸드 이노베이션 어워드 수상작으로 선정했다.
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| LPDDR5X-PIM으로 FMS 2026에서 넥스트젠 메모리 어워드를 수상한 김경륜 D램개발실 상무 [삼성전자 제공] |
넥스트젠 메모리 어워드를 받은 LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 ‘PIM(프로세싱-인-메모리)’ 기술을 적용한 차세대 메모리다.
PIM은 이른바 ‘뇌’를 닮은 메모리로, 메모리 내부에 연산 기능을 탑재해 데이터를 프로세서로 이동하지 않고 간단한 연산은 직접 처리할 수 있다. LPDDR5X-PIM은 메모리에서 데이터를 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서에 전달해 시스템 내부의 데이터 이동을 최소화한다.
프로세서와 메모리 사이 반복적으로 발생하는 데이터 이동은 줄이고, AI 연산 성능과 전력 효율은 동시에 높이면서 대규모 AI 모델을 구동할 때 발생하는 데이터 병목 현상을 완화할 수 있는 차세대 메모리다.
LPDDR5X-PIM은 AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등 높은 연산 성능과 낮은 전력 소비가 동시에 요구되는 분야에서 활용될 것으로 기대된다. 삼성전자는 해당 기술을 차세대 AI 메모리 시장을 선도할 핵심 솔루션으로 육성한다는 계획이다.
삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 설루션, 차세대 스토리지 기술 등을 공개하고 글로벌 고객사와 업계 관계자들에게 미래 기술 비전을 제시할 예정이다.
앞서 삼성전자는 FMS 2026에서 D램과 낸드플래시를 모두 수직으로 쌓아올리는 3차원(3D) 방식을 적용한 ‘zHBM’과 ‘z낸드-O’ 모형을 업계 최초로 공개하기도 했다.
